美國航天航空指定品牌，世界三大電容廠商，美國CDE電容器,它的作用如下:
1:美國CDE吸收電容的作用
母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短；第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊；第三，選用低電感的聚丙烯無極電容，與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管，以及無感泄放電阻；第四，其它有效措施。目前，緩沖電路的制作工藝也有多種方式：有用分立件連接的；有通過印制版連接的；更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT 模塊上的。顯然，最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩沖效果最好，能最大限度地保護IGBT 安全運行，美國CDE吸收電容在這方面是世界最早的鼻祖，最專業(yè)的。
2:CDE吸收電容的結(jié)構(gòu)特點
美國CDE吸收電容雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，多條引線設(shè)計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路。電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)，封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標準，尺寸: 適合于各種IGBT保護。
3吸收電容的技術(shù)參數(shù)
美國CDE電容量: 0.0047 to 6.8μF，額定電壓: 700 to 3000 Vdc損耗角正切:測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 絕緣電阻: 3000s，s= MΩ. μF測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10s，t 25±5℃，1Min工作溫度: -40~+85℃
